SI4442DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI4442DY-T1-GE3 | SI4442DY-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI4442DY-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SI4442DY-T1-GE3
LIXINC Part #	SI4442DY-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SI4442DY-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 09 - Oct 13 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SI4442DY-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SI4442DY-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	15A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.6W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-SO
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMS3014SFGQ-13	MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8	914 Подробнее о заказе
IXFA14N60P-TRL	MOSFET N-CH 600V 14A TO263	1772 Подробнее о заказе
NTD3055L170-001	MOSFET N-CH 60V 9A IPAK	3920 Подробнее о заказе
FQPF3N80C	MOSFET N-CH 800V 3A TO220F	951 Подробнее о заказе
AUIRLR120NTRL	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK	3898 Подробнее о заказе
STL25N15F3	MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT	4156 Подробнее о заказе
IPT60R150G7XTMA1	MOSFET N-CH 650V 17A 8HSOF	2794 Подробнее о заказе
SI3465DV-T1-GE3	MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP	993 Подробнее о заказе
PHT6N06LT,135	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	427977 Подробнее о заказе
DMT12H007LPS-13	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8	3072 Подробнее о заказе
FQPF17N08	MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F	3903 Подробнее о заказе
IRFR220BTM	N-CHANNEL POWER MOSFET	15722 Подробнее о заказе
2SK3821-E	MOSFET N-CH 100V 40A SMP	19571 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.69500	$1.695
2500	$1.69500	$4237.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015