R8002ANX | ROHM Semiconductor R8002ANX | R8002ANX Inventory, Best Pricing

R8002ANX

Увеличить

Только для справки

номер части	R8002ANX
LIXINC Part #	R8002ANX
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	R8002ANX След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

R8002ANX Технические характеристики

номер части:	R8002ANX
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	2A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	12.7 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	210 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	35W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-220FM
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015