SIS108DN-T1-GE3

SIS108DN-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIS108DN-T1-GE3
LIXINC Part # SIS108DN-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIS108DN-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIS108DN-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SIS108DN-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET® Gen IV
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:6.7A (Ta), 16A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):7.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:34mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:545 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.2W (Ta), 24W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® 1212-8
упаковка / чехол:PowerPAK® 1212-8

Продукты, которые могут вас заинтересовать

CPH3456-TL-H CPH3456-TL-H MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH 9875

Подробнее о заказе

AOI11S60 AOI11S60 MOSFET N-CH 600V 11A TO251A 961

Подробнее о заказе

AUIRFSL4010 AUIRFSL4010 AUTOMOTIVE POWER MOSFET 953

Подробнее о заказе

IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF MOSFET N-CH 200V 5A DPAK 1935

Подробнее о заказе

IPB050N06NGATMA1 IPB050N06NGATMA1 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK 19555

Подробнее о заказе

BST82,235 BST82,235 MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB 908

Подробнее о заказе

NVBLS0D5N04M8TXG NVBLS0D5N04M8TXG MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF 21142843

Подробнее о заказе

PMV16XN215 PMV16XN215 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 240808

Подробнее о заказе

IPD35N10S3L-26 IPD35N10S3L-26 IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU 971

Подробнее о заказе

SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC 2895

Подробнее о заказе

PSMN3R3-60PLQ PSMN3R3-60PLQ MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB 3111

Подробнее о заказе

CSD17484F4 CSD17484F4 MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR 49903

Подробнее о заказе

FQP4N90 FQP4N90 MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3 2963

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11002 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.96000$0.96

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top