2SK1909-DL-E | Rochester Electronics 2SK1909-DL-E | 2SK1909-DL-E Inventory, Best Pricing

2SK1909-DL-E

Увеличить

Только для справки

номер части	2SK1909-DL-E
LIXINC Part #	2SK1909-DL-E
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - fets, mosfets - rf
Описание	NCH 4V DRIVE SERIES
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SK1909-DL-E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 21 - Oct 25 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SK1909-DL-E Технические характеристики

MRFG35003NR5	FET RF 15V 3.55GHZ	925 Подробнее о заказе
PTAB182002FC-V1-R0	IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4	830 Подробнее о заказе
PTFB093608SVV2R250XTMA1	IC AMP RF LDMOS	924 Подробнее о заказе
2SJ615-TD-E	PCH 4V DRIVE SERIES	44933 Подробнее о заказе
2SK1740-5-TB-E-ON	N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET	95443 Подробнее о заказе
MRF21085R3	N-CHANNEL POWER MOSFET	874 Подробнее о заказе
PXFC193808SVV1R250XTMA1	IC AMP RF LDMOS	814 Подробнее о заказе
EC4307KF-TR	PCH 1.8V DRIVE SERIES	32817 Подробнее о заказе
2SK777U1-FRN	NCH J-FET	826 Подробнее о заказе
IGN2729M400R2	GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND	817 Подробнее о заказе
MRF8S19260HSR6	RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL	846 Подробнее о заказе
SD2931-15W	IC RF TRANSISTOR 15W DMOS	848 Подробнее о заказе
GTRA362802FC-V1-R0	280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH	980 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.60000	$1.6

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015