NE3512S02-T1C-A | Rochester Electronics NE3512S02-T1C-A | NE3512S02-T1C-A Inventory, Best Pricing

NE3512S02-T1C-A

Увеличить

Только для справки

номер части	NE3512S02-T1C-A
LIXINC Part #	NE3512S02-T1C-A
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - fets, mosfets - rf
Описание	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NE3512S02-T1C-A След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NE3512S02-T1C-A Технические характеристики

WP2806045UH	RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W	869 Подробнее о заказе
NPT1012B	HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ	1000 Подробнее о заказе
ARF461BG	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	948 Подробнее о заказе
CGH40025F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1595 Подробнее о заказе
SD57030-01	FET RF 65V 945MHZ M250	903 Подробнее о заказе
2SK3491-TL-E	NCH 4V DRIVE SERIES	410482 Подробнее о заказе
PD85035STR-E	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	950 Подробнее о заказе
CGHV96100F2	RF MOSFET HEMT 40V 440210	1028 Подробнее о заказе
BG3130H6327XTSA1	DUAL N-CHANNEL MOSFET TETRODE	537953 Подробнее о заказе
AFT20S015NR1	RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2	1357 Подробнее о заказе
CGH40045F	RF MOSFET HEMT 28V 440193	1326 Подробнее о заказе
BLP10H603AZ	RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN	923 Подробнее о заказе
MRF175GV	FET RF 2CH 65V 225MHZ 375-04	880 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.60000	$0.6

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015