NE3512S02-T1D-A | Rochester Electronics NE3512S02-T1D-A | NE3512S02-T1D-A Inventory, Best Pricing

NE3512S02-T1D-A

Увеличить

Только для справки

номер части	NE3512S02-T1D-A
LIXINC Part #	NE3512S02-T1D-A
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - fets, mosfets - rf
Описание	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NE3512S02-T1D-A След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jul 04 - Jul 08 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NE3512S02-T1D-A Технические характеристики

BLF8G22LS-140U	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	838 Подробнее о заказе
BLD6G22L-50,112	RF TRANSISTOR	1011 Подробнее о заказе
BLA1011S-200R,112	RF TRANSISTOR	849 Подробнее о заказе
SW02FQ	QUAD SPST BIFET SWITCH	2325 Подробнее о заказе
ARF1500	MOSFET RF N-CH 500V 60A T1	987 Подробнее о заказе
BLC9G15XS-400AVTZ	RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7	947 Подробнее о заказе
BLF8G22LS-270GV,12	RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C	941 Подробнее о заказе
MRFE6S9200HR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	1885 Подробнее о заказе
BLF989U	BLF989/SOT539/TRAY	971 Подробнее о заказе
BLC9G20LS-470AVTY	RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583	939 Подробнее о заказе
MRF275G	FET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04	810 Подробнее о заказе
BLF7G22LS-250P,112	N-CHANNEL, MOSFET	972 Подробнее о заказе
NPT2010	HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ	975 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.60000	$0.6

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015