AUIRF7343Q | IR (Infineon Technologies) AUIRF7343Q | AUIRF7343Q Inventory, Best Pricing

AUIRF7343Q

Увеличить

Только для справки

номер части	AUIRF7343Q
LIXINC Part #	AUIRF7343Q
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	AUIRF7343Q След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

AUIRF7343Q Технические характеристики

номер части:	AUIRF7343Q
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N and P-Channel
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	55V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4.7A, 3.4A
rds on (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	36nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	740pF @ 25V
мощность - макс.:	2W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройств поставщика:	8-SO

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015