RJM0306JSP-01#J0 | Renesas Electronics America RJM0306JSP-01#J0 | RJM0306JSP-01#J0 Inventory, Best Pricing

RJM0306JSP-01#J0

Увеличить

Только для справки

номер части	RJM0306JSP-01#J0
LIXINC Part #	RJM0306JSP-01#J0
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RJM0306JSP-01#J0 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RJM0306JSP-01#J0 Технические характеристики

номер части:	RJM0306JSP-01#J0
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Фет-функция:	Logic Level Gate, 4V Drive
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.5A
rds on (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	5nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	290pF @ 10V
мощность - макс.:	2.2W
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройств поставщика:	8-SOP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015