TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8212-H(TE12LQ,M | TPC8212-H(TE12LQ,M Inventory, Best Pricing

TPC8212-H(TE12LQ,M

Увеличить

Только для справки

номер части	TPC8212-H(TE12LQ,M
LIXINC Part #	TPC8212-H(TE12LQ,M
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TPC8212-H(TE12LQ,M След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TPC8212-H(TE12LQ,M Технические характеристики

номер части:	TPC8212-H(TE12LQ,M
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6A
rds on (max) @ id, vgs:	21mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.3V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	840pF @ 10V
мощность - макс.:	450mW
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
пакет устройств поставщика:	8-SOP (5.5x6.0)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015