FF8MR12W2M1B11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) FF8MR12W2M1B11BOMA1 | FF8MR12W2M1B11BOMA1 Inventory, Best Pricing

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	FF8MR12W2M1B11BOMA1
LIXINC Part #	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FF8MR12W2M1B11BOMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Технические характеристики

номер части:	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolSiC™+
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Silicon Carbide (SiC)
напряжение сток-исток (vdss):	1200V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	150A (Tj)
rds on (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
vgs(th) (макс.) @ id:	5.55V @ 60mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	372nC @ 15V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	11000pF @ 800V
мощность - макс.:	20mW (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	AG-EASY2BM-2

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$248.29000	$248.29
15	$237.79472	$3566.9208

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015