BSG0811NDATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSG0811NDATMA1 | BSG0811NDATMA1 Inventory, Best Pricing

BSG0811NDATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSG0811NDATMA1
LIXINC Part #	BSG0811NDATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSG0811NDATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSG0811NDATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSG0811NDATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Фет-функция:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
напряжение сток-исток (vdss):	25V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	19A, 41A
rds on (max) @ id, vgs:	3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	8.4nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1100pF @ 12V
мощность - макс.:	2.5W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN
пакет устройств поставщика:	PG-TISON-8

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.47000	$2.47
5000	$1.08807	$5440.35

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015