CP307V-MPSA13-WN | Central Semiconductor CP307V-MPSA13-WN | CP307V-MPSA13-WN Inventory, Best Pricing

CP307V-MPSA13-WN

Увеличить

Только для справки

номер части	CP307V-MPSA13-WN
LIXINC Part #	CP307V-MPSA13-WN
Производитель	Central Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	POWER TRANSISTOR NPN DIE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CP307V-MPSA13-WN След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 21 - Sep 25 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CP307V-MPSA13-WN Технические характеристики

номер части:	CP307V-MPSA13-WN
Бренд:	Central Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Central Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN - Darlington
ток - коллектор (ic) (макс.):	500 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	30 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	1.5V @ 100µA, 100mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	10000 @ 100mA, 5V
мощность - макс.:	625 mW
частота - переход:	125MHz
Рабочая Температура:	-65°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	Die
пакет устройств поставщика:	Die

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015