2SA1930,LBS2DIAQ(J | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1930,LBS2DIAQ(J | 2SA1930,LBS2DIAQ(J Inventory, Best Pricing

2SA1930,LBS2DIAQ(J

Увеличить

Только для справки

номер части	2SA1930,LBS2DIAQ(J
LIXINC Part #	2SA1930,LBS2DIAQ(J
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	TRANS PNP 2A 180V TO220-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SA1930,LBS2DIAQ(J След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SA1930,LBS2DIAQ(J Технические характеристики

номер части:	2SA1930,LBS2DIAQ(J
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	PNP
ток - коллектор (ic) (макс.):	2 A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	180 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	1V @ 100mA, 1A
ток - отсечка коллектора (макс.):	5µA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	100 @ 100mA, 5V
мощность - макс.:	2 W
частота - переход:	200MHz
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack
пакет устройств поставщика:	TO-220NIS

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015