JAN2N5012S | Microsemi JAN2N5012S | JAN2N5012S Inventory, Best Pricing

JAN2N5012S

Увеличить

Только для справки

номер части	JAN2N5012S
LIXINC Part #	JAN2N5012S
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	NPN TRANSISTOR
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	JAN2N5012S След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

JAN2N5012S Технические характеристики

номер части:	JAN2N5012S
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Microsemi
ряд:	Military, MIL-PRF-19500/727
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN
ток - коллектор (ic) (макс.):	200 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	700 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	-
ток - отсечка коллектора (макс.):	10nA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	30 @ 25mA, 10V
мощность - макс.:	1 W
частота - переход:	-
Рабочая Температура:	-65°C ~ 200°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
пакет устройств поставщика:	TO-39 (TO-205AD)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015