NJVMJD3055T4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NJVMJD3055T4G

NJVMJD3055T4G

Увеличить

Только для справки

номер части	NJVMJD3055T4G
LIXINC Part #	NJVMJD3055T4G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	TRANS NPN 60V 10A DPAK-4
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NJVMJD3055T4G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 27 - Oct 31 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NJVMJD3055T4G Технические характеристики

номер части:	NJVMJD3055T4G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
ток - коллектор (ic) (макс.):	10 A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	60 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	8V @ 3.3A, 10A
ток - отсечка коллектора (макс.):	50µA
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	20 @ 4A, 4V
мощность - макс.:	1.75 W
частота - переход:	2MHz
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	DPAK

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015