RN2105MFV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2105MFV,L3F

RN2105MFV,L3F

Увеличить

Только для справки

номер части	RN2105MFV,L3F
LIXINC Part #	RN2105MFV,L3F
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Описание	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RN2105MFV,L3F След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RN2105MFV,L3F Технические характеристики

номер части:	RN2105MFV,L3F
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип транзистора:	PNP - Pre-Biased
ток - коллектор (ic) (макс.):	100 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50 V
резистор - база (r1):	2.2 kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	47 kOhms
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 5mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
частота - переход:	-
мощность - макс.:	150 mW
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SOT-723
пакет устройств поставщика:	VESM

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015