NSBA113EF3T5G | Rochester Electronics NSBA113EF3T5G | NSBA113EF3T5G Inventory, Best Pricing

NSBA113EF3T5G

Увеличить

Только для справки

номер части	NSBA113EF3T5G
LIXINC Part #	NSBA113EF3T5G
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Описание	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NSBA113EF3T5G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NSBA113EF3T5G Технические характеристики

номер части:	NSBA113EF3T5G
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одиночные, предварительно смещенные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип транзистора:	PNP - Pre-Biased
ток - коллектор (ic) (макс.):	100 mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50 V
резистор - база (r1):	1 kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	1 kOhms
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	3 @ 5mA, 10V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	250mV @ 5mA, 10mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	500nA
частота - переход:	-
мощность - макс.:	254 mW
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SOT-1123
пакет устройств поставщика:	SOT-1123

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.08000	$0.08
8000	$0.08000	$640

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015