NESG2101M05-T1-A | Rochester Electronics NESG2101M05-T1-A | NESG2101M05-T1-A Inventory, Best Pricing

NESG2101M05-T1-A

Увеличить

Только для справки

номер части	NESG2101M05-T1-A
LIXINC Part #	NESG2101M05-T1-A
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NESG2101M05-T1-A След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 22 - Oct 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NESG2101M05-T1-A Технические характеристики

номер части:	NESG2101M05-T1-A
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	5V
частота - переход:	17GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
прирост:	11dB ~ 19dB
мощность - макс.:	500mW
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	130 @ 15mA, 2V
ток - коллектор (ic) (макс.):	100mA
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SOT-343F
пакет устройств поставщика:	M05

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.50000	$0.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015