MRF581G | Microsemi MRF581G | MRF581G Inventory, Best Pricing

MRF581G

Увеличить

Только для справки

номер части	MRF581G
LIXINC Part #	MRF581G
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MRF581G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 20 - Oct 24 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MRF581G Технические характеристики

номер части:	MRF581G
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	Microsemi
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	18V
частота - переход:	5GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
прирост:	13dB ~ 15.5dB
мощность - макс.:	1.25W
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	50 @ 50mA, 5V
ток - коллектор (ic) (макс.):	200mA
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	Micro-X ceramic (84C)
пакет устройств поставщика:	Micro-X ceramic (84C)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015