BFG35,115 | NXP Semiconductors BFG35,115 | BFG35,115 Inventory, Best Pricing

BFG35,115

Увеличить

Только для справки

номер части	BFG35,115
LIXINC Part #	BFG35,115
Производитель	NXP Semiconductors
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BFG35,115 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BFG35,115 Технические характеристики

номер части:	BFG35,115
Бренд:	NXP Semiconductors
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	NXP Semiconductors
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	18V
частота - переход:	4GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	-
прирост:	-
мощность - макс.:	1W
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	25 @ 100mA, 10V
ток - коллектор (ic) (макс.):	150mA
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-261-4, TO-261AA
пакет устройств поставщика:	SOT-223

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015