2SC5065-O(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SC5065-O(TE85L,F) | 2SC5065-O(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

2SC5065-O(TE85L,F)

Увеличить

Только для справки

номер части	2SC5065-O(TE85L,F)
LIXINC Part #	2SC5065-O(TE85L,F)
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SC5065-O(TE85L,F) След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SC5065-O(TE85L,F) Технические характеристики

номер части:	2SC5065-O(TE85L,F)
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	12V
частота - переход:	7GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	1dB @ 500MHz
прирост:	-
мощность - макс.:	100mW
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
ток - коллектор (ic) (макс.):	30mA
Рабочая Температура:	125°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SC-70, SOT-323
пакет устройств поставщика:	USM

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015