MMBTH10LT3G | Rochester Electronics MMBTH10LT3G | MMBTH10LT3G Inventory, Best Pricing

MMBTH10LT3G

Увеличить

Только для справки

номер части	MMBTH10LT3G
LIXINC Part #	MMBTH10LT3G
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MMBTH10LT3G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 20 - Oct 24 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MMBTH10LT3G Технические характеристики

номер части:	MMBTH10LT3G
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	25V
частота - переход:	650MHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	-
прирост:	-
мощность - макс.:	225mW
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	60 @ 4mA, 10V
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
пакет устройств поставщика:	SOT-23-3 (TO-236)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015