ULN2803AFWG,C,EL | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation ULN2803AFWG,C,EL

ULN2803AFWG,C,EL

Увеличить

Только для справки

номер части	ULN2803AFWG,C,EL
LIXINC Part #	ULN2803AFWG,C,EL
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы
Описание	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	ULN2803AFWG,C,EL След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

ULN2803AFWG,C,EL Технические характеристики

номер части:	ULN2803AFWG,C,EL
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	8 NPN Darlington
ток - коллектор (ic) (макс.):	500mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	1.6V @ 500µA, 350mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	-
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	1000 @ 350mA, 2V
мощность - макс.:	1.31W
частота - переход:	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
пакет устройств поставщика:	18-SOL

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015