HN4A51JTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN4A51JTE85LF

HN4A51JTE85LF

Увеличить

Только для справки

номер части	HN4A51JTE85LF
LIXINC Part #	HN4A51JTE85LF
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы
Описание	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	HN4A51JTE85LF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jul 05 - Jul 09 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

HN4A51JTE85LF Технические характеристики

номер части:	HN4A51JTE85LF
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	2 PNP (Dual)
ток - коллектор (ic) (макс.):	100mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	120V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	200 @ 2mA, 6V
мощность - макс.:	300mW
частота - переход:	100MHz
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SC-74A, SOT-753
пакет устройств поставщика:	SMV

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015