RN2910,LF(CT | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2910,LF(CT

RN2910,LF(CT

Увеличить

Только для справки

номер части	RN2910,LF(CT
LIXINC Part #	RN2910,LF(CT
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы, предварительно смещенные
Описание	PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RN2910,LF(CT След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 10 - Oct 14 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RN2910,LF(CT Технические характеристики

номер части:	RN2910,LF(CT
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы, предварительно смещенные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
ток - коллектор (ic) (макс.):	100mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50V
резистор - база (r1):	4.7kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	-
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 5V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
частота - переход:	200MHz
мощность - макс.:	200mW
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SC-61AA
пакет устройств поставщика:	SMQ

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.04876	$0.04876

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015