EMD4DXV6T1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor EMD4DXV6T1G

EMD4DXV6T1G

Увеличить

Только для справки

номер части	EMD4DXV6T1G
LIXINC Part #	EMD4DXV6T1G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы, предварительно смещенные
Описание	TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	EMD4DXV6T1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

EMD4DXV6T1G Технические характеристики

номер части:	EMD4DXV6T1G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы, предварительно смещенные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ток - коллектор (ic) (макс.):	100mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50V
резистор - база (r1):	47kOhms, 10kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	47kOhms
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	500nA
частота - переход:	-
мощность - макс.:	500mW
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SOT-563, SOT-666
пакет устройств поставщика:	SOT-563

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015