NSVMUN5133DW1T1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVMUN5133DW1T1G

NSVMUN5133DW1T1G

Увеличить

Только для справки

номер части	NSVMUN5133DW1T1G
LIXINC Part #	NSVMUN5133DW1T1G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы, предварительно смещенные
Описание	TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NSVMUN5133DW1T1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NSVMUN5133DW1T1G Технические характеристики

номер части:	NSVMUN5133DW1T1G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - матрицы, предварительно смещенные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип транзистора:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
ток - коллектор (ic) (макс.):	100mA
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	50V
резистор - база (r1):	4.7kOhms
резистор - эмиттерная база (r2):	47kOhms
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
ток - отсечка коллектора (макс.):	500nA
частота - переход:	-
мощность - макс.:	250mW
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
пакет устройств поставщика:	SC-88/SC70-6/SOT-363

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.11771	$0.11771
3000	$0.11169	$335.07

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015