BZT52C8V2-E3-08 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZT52C8V2-E3-08

BZT52C8V2-E3-08

Увеличить

Только для справки

номер части	BZT52C8V2-E3-08
LIXINC Part #	BZT52C8V2-E3-08
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › диоды - стабилитрон - одиночные
Описание	DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BZT52C8V2-E3-08 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BZT52C8V2-E3-08 Технические характеристики

номер части:	BZT52C8V2-E3-08
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	диоды - стабилитрон - одиночные
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
напряжение - стабилитрон (ном.) (vz):	8.2 V
толерантность:	±5%
мощность - макс.:	410 mW
импеданс (макс.) (zzt):	4.5 Ohms
ток - обратная утечка @ vr:	100 nA @ 6 V
напряжение - прямое (vf) (max) @ если:	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SOD-123
пакет устройств поставщика:	SOD-123

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015