VS-C08ET07T-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-C08ET07T-M3

VS-C08ET07T-M3

Увеличить

Только для справки

номер части	VS-C08ET07T-M3
LIXINC Part #	VS-C08ET07T-M3
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › диоды - вч
Описание	SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	VS-C08ET07T-M3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

VS-C08ET07T-M3 Технические характеристики

номер части:	VS-C08ET07T-M3
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	диоды - вч
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип диода:	Schottky - Single
напряжение - пиковое обратное (макс.):	650V
ток - макс.:	8 A
емкость при vr, ф:	355pF @ 1V, 1MHz
сопротивление @ if, f:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	54 W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
упаковка / чехол:	TO-220-2
пакет устройств поставщика:	TO-220AC

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$3.26000	$3.26

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015