UGB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division UGB8JT-E3/81

UGB8JT-E3/81

Увеличить

Только для справки

номер части	UGB8JT-E3/81
LIXINC Part #	UGB8JT-E3/81
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › диоды - выпрямители - одиночные
Описание	DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	UGB8JT-E3/81 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 27 - Oct 31 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

UGB8JT-E3/81 Технические характеристики

номер части:	UGB8JT-E3/81
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	диоды - выпрямители - одиночные
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип диода:	Standard
напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):	600 V
ток - средний выпрямленный (io):	8A
напряжение - прямое (vf) (max) @ если:	1.75 V @ 8 A
скорость:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
время обратного восстановления (trr):	50 ns
ток - обратная утечка @ vr:	30 µA @ 600 V
емкость при vr, ф:	-
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	TO-263AB
рабочая температура - соединение:	-55°C ~ 150°C

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015