H7N1002LSTL-E | Renesas Electronics America H7N1002LSTL-E | H7N1002LSTL-E Inventory, Best Pricing

H7N1002LSTL-E

Увеличить

Только для справки

номер части	H7N1002LSTL-E
LIXINC Part #	H7N1002LSTL-E
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	H7N1002LSTL-E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 28 - Oct 02 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

H7N1002LSTL-E Технические характеристики

номер части:	H7N1002LSTL-E
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	75A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	155 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	9700 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	100W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	4-LDPAK
упаковка / чехол:	SC-83

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015