Только для справки
номер части | IPB80N06S405ATMA2 |
LIXINC Part # | IPB80N06S405ATMA2 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPB80N06S405ATMA2 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 28 - Oct 02 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPB80N06S405ATMA2 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 80A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 5.7mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 60µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 81 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 6500 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 107W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3-2 |
упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
NTTFS4C05NTAG | MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN | 934 Подробнее о заказе |
|
IAUT200N08S5N023ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF | 2537 Подробнее о заказе |
|
PSMN1R8-30BL,118 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 998 Подробнее о заказе |
|
PMF780SN,115 | MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3 | 120987 Подробнее о заказе |
|
IPB60R045P7ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2 | 868 Подробнее о заказе |
|
IRFU220PBF | MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA | 3406 Подробнее о заказе |
|
2SJ254 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 18619 Подробнее о заказе |
|
IRLU3110ZPBF | MOSFET N-CH 100V 42A IPAK | 952 Подробнее о заказе |
|
IRFU110PBF | MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA | 7249 Подробнее о заказе |
|
NTD5802NT4G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1700 Подробнее о заказе |
|
DMP3008SFGQ-13 | MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 | 1245 Подробнее о заказе |
|
AO4425 | MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC | 108794 Подробнее о заказе |
|
AUIRFS4115 | MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK | 4722 Подробнее о заказе |
В наличии | 10880 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.95322 | $0.95322 |
1000 | $0.88069 | $880.69 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.