IPA100N08N3GXKSA1 | Rochester Electronics IPA100N08N3GXKSA1 | IPA100N08N3GXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPA100N08N3GXKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPA100N08N3GXKSA1
LIXINC Part #	IPA100N08N3GXKSA1
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3-111
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPA100N08N3GXKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 28 - Oct 02 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPA100N08N3GXKSA1 Технические характеристики

номер части:	IPA100N08N3GXKSA1
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 46µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2410 pF @ 40 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	35W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO220-3-111
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.68000	$0.68
500	$0.68000	$340

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015