Только для справки
номер части | IPB600N25N3GATMA1 |
LIXINC Part # | IPB600N25N3GATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPB600N25N3GATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 29 - Oct 03 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPB600N25N3GATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 250 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 25A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 60mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 90µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 29 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2350 pF @ 100 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 136W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
DKI03038 | MOSFET N-CH 30V 48A TO252 | 892 Подробнее о заказе |
|
AOWF160A60 | MOSFET N-CH 600V 24A TO262F | 1873 Подробнее о заказе |
|
FDB86563-F085 | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK | 970 Подробнее о заказе |
|
FDMS7678 | MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN | 3050 Подробнее о заказе |
|
IPW60R190C6FKSA1 | IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANN | 2011 Подробнее о заказе |
|
DMP2067LVT-7 | MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26 | 12834 Подробнее о заказе |
|
MTW8N50E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 20667 Подробнее о заказе |
|
2SJ545-E | P-CHANNEL POWER MOSFET | 995 Подробнее о заказе |
|
SSI7N60BTU | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1908 Подробнее о заказе |
|
PMPB15XPZ | MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6 | 994 Подробнее о заказе |
|
BF20-40E6814 | RF N-CHANNEL MOSFET | 4967 Подробнее о заказе |
|
STFI10N62K3 | MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP | 2318 Подробнее о заказе |
|
IPA65R600C6XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 | 9461 Подробнее о заказе |
В наличии | 11308 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $3.08000 | $3.08 |
1000 | $1.51191 | $1511.91 |
2000 | $1.40764 | $2815.28 |
5000 | $1.35551 | $6777.55 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.