Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD25N06S4L30ATMA2

IPD25N06S4L30ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPD25N06S4L30ATMA2
LIXINC Part # IPD25N06S4L30ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD25N06S4L30ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 29 - Oct 03 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD25N06S4L30ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPD25N06S4L30ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:25A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:30mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 8µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:16.3 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1220 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):29W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD25N06S4L30ATMA2 Документы

if IPD25N06S4L30ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FQP55N10 FQP55N10 MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 1759

Подробнее о заказе
IXTP14N60PM IXTP14N60PM MOSFET N-CH 600V 7A TO220 2067

Подробнее о заказе
PSMN063-150D,118 PSMN063-150D,118 MOSFET N-CH 150V 29A DPAK 1238

Подробнее о заказе
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 29A 8SO 835

Подробнее о заказе
IPP50R299CPXKSA1 IPP50R299CPXKSA1 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET 34237

Подробнее о заказе
IPD80N06S3-09 IPD80N06S3-09 MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 7984

Подробнее о заказе
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK 1547

Подробнее о заказе
FCP380N60 FCP380N60 MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3 4123

Подробнее о заказе
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP 3252

Подробнее о заказе
PSMN8R5-40MLDX PSMN8R5-40MLDX MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33 5348

Подробнее о заказе
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK 1243

Подробнее о заказе
DKI03038 DKI03038 MOSFET N-CH 30V 48A TO252 847

Подробнее о заказе
AOWF160A60 AOWF160A60 MOSFET N-CH 600V 24A TO262F 1874

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10929 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.77000$0.77
2500$0.37790$944.75
5000$0.35184$1759.2
12500$0.33881$4235.125
25000$0.33170$8292.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top