Только для справки
номер части | IPB60R099C7ATMA1 |
LIXINC Part # | IPB60R099C7ATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPB60R099C7ATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 28 - Oct 02 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPB60R099C7ATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | CoolMOS™ C7 |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 22A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 99mOhm @ 9.7A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 490µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 42 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1819 pF @ 400 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 110W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3 |
упаковка / чехол: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
STP46NF30 | MOSFET N CH 300V 42A TO-220 | 806 Подробнее о заказе |
|
DMTH4008LPS-13 | MOSFET N-CH 40V PWRDI5060 | 848 Подробнее о заказе |
|
IPD60R520CPATMA1 | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3 | 830 Подробнее о заказе |
|
IPA65R280E6XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP | 1334 Подробнее о заказе |
|
IRLZ14SPBF | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | 2476 Подробнее о заказе |
|
BUK9M156-100EX | MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33 | 832 Подробнее о заказе |
|
R6012FNX | MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM | 1632 Подробнее о заказе |
|
IPW65R420CFDFKSA1 | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3 | 986 Подробнее о заказе |
|
FDB38N30U | MOSFET N CH 300V 38A D2PAK | 2802 Подробнее о заказе |
|
FQD5N50CTM | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK | 10841 Подробнее о заказе |
|
IXTX120P20T | MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3 | 1024 Подробнее о заказе |
|
STB80NF55-08AG | MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK | 957 Подробнее о заказе |
|
SI4126DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 39A 8SO | 9760 Подробнее о заказе |
В наличии | 11778 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $5.79000 | $5.79 |
1000 | $3.17328 | $3173.28 |
2000 | $3.01461 | $6029.22 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.